TP65H070LSG-TR

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GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

NOVA-Teilenummer:

312-2283657-TP65H070LSG-TR

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

TP65H070LSG-TR

Standardpaket:

500

Technisches Datenblatt:

N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Transphorm
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	3-PQFN (8x8)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Serie	TP65H070L
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	3-PowerDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	600 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	96W (Tc)
Andere Namen	1707-TP65H070LSG-CT 1707-TP65H070LSG-DKR 1707-TP65H070LSG-TR