TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
NOVA-Teilenummer:
312-2264999-TP65H050WS
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TP65H050WS
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-3 | |
| Basisproduktnummer | TP65H050 | |
| Technologie | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 34A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 12V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1000 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 119W (Tc) |
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