FDS6673BZ

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MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

NOVA-Teilenummer:

312-2280761-FDS6673BZ

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

FDS6673BZ

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	FDS6673
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	PowerTrench®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	14.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	124 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)	±25V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4700 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Andere Namen	FDS6673BZ-ND Q3295237 ONSONSFDS6673BZ FDS6673BZTR 2156-FDS6673BZ-OS FDS6673BZDKR FDS6673BZCT