SI7129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2285620-SI7129DN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7129DN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7129 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 35A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 14.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3345 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) | |
| Andere Namen | SI7129DN-T1-GE3DKR SI7129DN-T1-GE3CT SI7129DN-T1-GE3-ND SI7129DN-T1-GE3TR SI7129DNT1GE3 |
In stock Brauche mehr?
0,39940 $
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
NCP308SNADJT1Gonsemi
NTJD1155LT1Gonsemi
STUSB4500QTRSTMicroelectronics
SI7121DN-T1-GE3Vishay Siliconix
NDC7001Consemi
SI7143DP-T1-GE3Vishay Siliconix
NCP380HSN05AAT1Gonsemi
NLAS3158MNR2Gonsemi
NCP303LSN25T1Gonsemi
NTZD3155CT2Gonsemi- FDC6333Consemi
- NTZD3155CT1Gonsemi
- NCV303LSN30T1Gonsemi
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon Technologies
