FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
NOVA-Teilenummer:
312-2282786-FDMC86102LZ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDMC86102LZ
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| Basisproduktnummer | FDMC86102 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7A (Ta), 18A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 6.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1290 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) | |
| Andere Namen | FDMC86102LZDKR FDMC86102LZTR FDMC86102LZ-ND FDMC86102LZCT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
FDMC86102Lonsemi
NL27WZ07DFT2Gonsemi
FSA4157L6Xonsemi
FDMC8622onsemi
STUSB4500QTRSTMicroelectronics
FDMC86102onsemi
NTJD4105CT2Gonsemi
NCP45540IMNTWG-Honsemi- NTJD4152PT1Gonsemi
FSA4157AP6Xonsemi- FDMC86139Ponsemi
NCP45524IMNTWG-Honsemi
FDN327Nonsemi- FDN352APonsemi
