TPW1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
NOVA-Teilenummer:
312-2282848-TPW1R306PL,L1Q
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TPW1R306PL,L1Q
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-DSOP Advance | |
| Basisproduktnummer | TPW1R306 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 260A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.29mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8100 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Andere Namen | TPW1R306PLL1QCT TPW1R306PLL1QDKR TPW1R306PLL1QTR TPW1R306PL,L1Q(M |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
INA168NA/3KTexas Instruments
FDMC007N08LCDConsemi
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC014N06NSSCATMA1Infineon Technologies
AUIR3241STRInfineon Technologies
TPW1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IRLML9301TRPBFInfineon Technologies
