TPH1R306P1,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
NOVA-Teilenummer:
312-2282275-TPH1R306P1,L1Q
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TPH1R306P1,L1Q
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Basisproduktnummer | TPH1R306 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.28mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8100 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Andere Namen | 264-TPH1R306P1L1QCT 264-TPH1R306P1L1QTR 264-TPH1R306P1L1QDKR TPH1R306P1,L1Q(M |
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