IPD031N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2282988-IPD031N06L3GATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD031N06L3GATMA1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 | |
| Basisproduktnummer | IPD031 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 13000 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 167W (Tc) | |
| Andere Namen | IPD031N06L3G IPD031N06L3 GTR-ND IPD031N06L3 GDKR IPD031N06L3 G-ND IPD031N06L3GATMA1TR IPD031N06L3 GCT-ND IPD031N06L3 G IPD031N06L3GATMA1DKR IPD031N06L3GATMA1CT SP000451076 IPD031N06L3 GCT IPD031N06L3 GDKR-ND |
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