SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
NOVA-Teilenummer:
312-2280546-SCT3120ALGC11
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SCT3120ALGC11
Standardpaket:
450
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247N | |
| Basisproduktnummer | SCT3120 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | +22V, -4V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 460 pF @ 500 V | |
| Verlustleistung (max.) | 103W (Tc) | |
| Andere Namen | Q12567120 |
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