SIRA20BDP-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer	SIRA20
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	186 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	+16V, -12V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	9950 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Andere Namen	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT

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