SIR178DP-T1-RE3

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MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2288383-SIR178DP-T1-RE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIR178DP-T1-RE3

Standardpaket:

3,000

N-Channel 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer	SIR178
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	100A (Ta), 430A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	310 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	+12V, -8V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	12430 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Andere Namen	742-SIR178DP-T1-RE3DKR 742-SIR178DP-T1-RE3CT 742-SIR178DP-T1-RE3TR