STD10N60DM2
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2292471-STD10N60DM2
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STD10N60DM2
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount DPAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK | |
| Basisproduktnummer | STD10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | MDmesh™ DM2 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 529 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 109W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-16924-1 497-16924-2 497-16924-6 |
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