IPD60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3-313
NOVA-Teilenummer:
312-2311336-IPD60R360CFD7ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD60R360CFD7ATMA1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3-313 | |
| Basisproduktnummer | IPD60R360 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ CFD7 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 679 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 43W (Tc) | |
| Andere Namen | SP002621084 448-IPD60R360CFD7ATMA1TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- FCD620N60ZFonsemi
- IRFR825TRPBFInfineon Technologies
- STD10N60DM2STMicroelectronics



