SI7119DN-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2290389-SI7119DN-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7119DN-T1-E3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7119 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 666 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
| Andere Namen | SI7119DN-T1-E3CT SI7119DNT1E3 SI7119DN-T1-E3TR SI7119DN-T1-E3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SI7317DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJ431EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SI7431DP-T1-E3Vishay Siliconix
SQJ431EP-T2_GE3Vishay Siliconix
FDMC86261Ponsemi- SI7119DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- FDMC86262Ponsemi
SQS481ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
