FDMC86262P
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
NOVA-Teilenummer:
312-2280959-FDMC86262P
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDMC86262P
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 150 V 2A (Ta), 8.4A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| Basisproduktnummer | FDMC86262 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2A (Ta), 8.4A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 307mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 885 pF @ 75 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 40W (Tc) | |
| Andere Namen | FDMC86262PDKR FDMC86262PTR 2156-FDMC86262P-OS FDMC86262PCT ONSONSFDMC86262P |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- FDG1024NZonsemi
- FDMA86265Ponsemi
- NCV4266ST50T3Gonsemi
- NLAS4599DFT2Gonsemi
- FSA4157P6Xonsemi
- NVMFS5C673NLAFT1Gonsemi
- FDG8842CZonsemi
- NCS2561SQT1Gonsemi
- NTJD4152PT1Gonsemi
- NLAS3158MNR2Gonsemi
- FDG6317NZonsemi
- NCP300LSN20T1Gonsemi
- NCP698SQ33T1Gonsemi
- NCV551SN33T1Gonsemi
- NTD5865NLT4Gonsemi












