SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2275011-SI7119DN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7119DN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7119 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 666 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
| Andere Namen | SI7119DN-T1-GE3CT SI7119DN-T1-GE3DKR SI7119DN-T1-GE3TR SI7119DNT1GE3 |
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