DMTH6009LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2280707-DMTH6009LK3Q-13
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMTH6009LK3Q-13
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 14.2A (Ta), 59A (Tc) 3.2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252-3 | |
| Basisproduktnummer | DMTH6009 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 14.2A (Ta), 59A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1925 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 60W (Tc) | |
| Andere Namen | DMTH6009LK3Q-13DITR DMTH6009LK3Q-13DICT DMTH6009LK3Q-13DIDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- STD44N4LF6STMicroelectronics
- RD3G400GNTLRohm Semiconductor
- FDD10AN06A0onsemi
- IXTY90N055T2IXYS
- STD65N55F3STMicroelectronics





