DMT69M8LFV-7
MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
НОВА часть #:
312-2274194-DMT69M8LFV-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT69M8LFV-7
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI3333-8 (Type UX) | |
| Базовый номер продукта | DMT69 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 45A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1925 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 42W (Tc) | |
| Другие имена | DMT69M8LFV-7-ND DMT69M8LFV-7DITR DMT69M8LFV-7DIDKR DMT69M8LFV-7DICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- DMTH6009LPS-13Diodes Incorporated
- CSD19537Q3Texas Instruments
- SQJA00EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and Storage
- XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
- CSD18543Q3ATexas Instruments
- ISC0703NLSATMA1Infineon Technologies
- TPN11006NL,LQToshiba Semiconductor and Storage
- SIZ254DT-T1-GE3Vishay Siliconix
- LTC7001HMSE#TRPBFAnalog Devices Inc.










