DMG1012TQ-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
НОВА часть #:
312-2280927-DMG1012TQ-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMG1012TQ-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-523 | |
| Базовый номер продукта | DMG1012 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 630mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.74 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-523 | |
| VGS (макс.) | ±6V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 60.67 pF @ 16 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 280mW (Ta) | |
| Другие имена | DMG1012TQ-7-ND DMG1012TQ-7DICT DMG1012TQ-7DITR DMG1012TQ-7DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP21D0UT-7Diodes Incorporated- DMN2004TK-7Diodes Incorporated
AP2331W-7Diodes Incorporated
CUS520,H3FToshiba Semiconductor and Storage
NC7WZ16P6Xonsemi
LTST-S270KGKTLite-On Inc.
BAS16J,115Nexperia USA Inc.