NTS4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
НОВА часть #:
312-2284343-NTS4101PT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTS4101PT1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 1.37A (Ta) 329mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-70-3 (SOT323) | |
| Базовый номер продукта | NTS4101 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.37A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-70, SOT-323 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 840 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 329mW (Ta) | |
| Другие имена | NTS4101PT1GOSCT 2156-NTS4101PT1G-OS NTS4101PT1GOSDKR ONSONSNTS4101PT1G NTS4101PT1GOSTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- A3967SLBTR-TAllegro MicroSystems
- NTS4001NT1Gonsemi
- NCP380HMUAJAATBGonsemi
- TS3A27518ERTWRTexas Instruments
- NC7WZ17P6Xonsemi
- NST45010MW6T1Gonsemi
- PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.
- NTS4101PT1Honsemi
- NTJD4001NT1Gonsemi
- PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.
- NC7WZ07P6Xonsemi
- BSS138onsemi
- DMP2110UW-7Diodes Incorporated
- BSH202,215Nexperia USA Inc.













