IPD90N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
НОВА часть #:
312-2296779-IPD90N06S407ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD90N06S407ATMA2
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD90N06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 40µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 79W (Tc) | |
| Другие имена | IPD90N06S407ATMA2-ND 448-IPD90N06S407ATMA2CT 448-IPD90N06S407ATMA2TR 448-IPD90N06S407ATMA2DKR SP001028680 INFINFIPD90N06S407ATMA2 2156-IPD90N06S407ATMA2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon Technologies
SBAS40-06LT1Gonsemi
SBAT54SLT1Gonsemi