SQ2351ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2285057-SQ2351ES-T1_BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ2351ES-T1_BE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 3.2A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SQ2351 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 330 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQ2351ES-T1_BE3CT 742-SQ2351ES-T1_BE3TR 742-SQ2351ES-T1_BE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQ2351ES-T1_GE3Vishay Siliconix
AO3415AAlpha & Omega Semiconductor Inc.- SI2319DS-T1-GE3Vishay Siliconix
ZXM61P02FTADiodes Incorporated
RH100-20.000-12-1010-EXT-TRRaltron Electronics
150060RS75000Würth Elektronik- DMG2301L-7Diodes Incorporated
SI2301S-2.3AMDD- SI2399DS-T1-GE3Vishay Siliconix