IXFH32N100X

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 1000V 32A TO247

НОВА часть #:

312-2265013-IXFH32N100X

Производитель:

Номер детали производителя:

IXFH32N100X

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	IXYS
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247
Базовый номер продукта	IXFH32
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HiPerFET™, Ultra X
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	32A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	6V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1000 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4075 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	890W (Tc)