IPD60R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
НОВА часть #:
312-2281377-IPD60R400CEAUMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD60R400CEAUMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 14.7A (Tc) 112W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-2 | |
| Базовый номер продукта | IPD60R400 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ CE | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 14.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 300µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 700 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 112W (Tc) | |
| Другие имена | IPD60R400CEAUMA1-ND 2156-IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1DKR IPD60R400CEAUMA1CT IPD60R400CEAUMA1TR INFINFIPD60R400CEAUMA1 SP001396880 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IPD65R400CEAUMA1Infineon Technologies
- IPD60R180P7SAUMA1Infineon Technologies
- IPD70R360P7SAUMA1Infineon Technologies
- IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon Technologies
- IPD70R600P7SAUMA1Infineon Technologies
- IPD70R900P7SAUMA1Infineon Technologies
- IPD60R360P7SAUMA1Infineon Technologies




