NVMFS6H818NLT1G
MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
НОВА часть #:
312-2297054-NVMFS6H818NLT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMFS6H818NLT1G
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Базовый номер продукта | NVMFS6 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 22A (Ta), 135A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 190µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3844 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NVMFS6H818NLT1GCT 488-NVMFS6H818NLT1GTR 488-NVMFS6H818NLT1GDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
1N4148WS-HG3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BAT54C-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SN74LVC1G08QDBVRQ1Texas Instruments
XPH2R106NC,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
ADR365BUJZ-REEL7Analog Devices Inc.
DMTH43M8LPSQ-13Diodes Incorporated
DMN53D0LQ-7Diodes Incorporated
IPC90N04S5L3R3ATMA1Infineon Technologies
PMST3906,115Nexperia USA Inc.