PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
НОВА часть #:
312-2273401-PMXB360ENEAZ
Производитель:
Номер детали производителя:
PMXB360ENEAZ
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DFN1010D-3 | |
| Базовый номер продукта | PMXB360 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.1A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 1.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.7V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 130 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) | |
| Другие имена | PMXB360ENEA PMXB360ENEAZINACTIVE PMXB360ENEAZ-ND 568-10945-1 568-10945-1-ND 568-10945-2 568-10945-2-ND 1727-1474-6 934067475147 568-10945-6 568-10945-6-ND 1727-1474-1 1727-1474-2 |
In stock Нужно больше?
0,17090 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BAS4002ARPPE6327HTSA1Infineon Technologies
IM01GRTE Connectivity Potter & Brumfield Relays
MAX4373FEUA+Analog Devices Inc./Maxim Integrated
LT1491AIDHC#PBFAnalog Devices Inc.
DMP4047LFDE-7Diodes Incorporated
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.
RSF015N06TLRohm Semiconductor
