RF4C050APTR

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	HUML2020L8
Базовый номер продукта	RF4C050
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	10A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	55 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerUDFN
VGS (макс.)	-8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5500 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta)
Другие имена	RF4C050APTRDKR RF4C050APTRDKR-ND RF4C050APCT RF4C050AP RF4C050AP-ND T2198597 RF4C050APTRCT RF4C050APTRCT-ND RF4C050APDKR Q7763030AZ