SI4800BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
НОВА часть #:
312-2274313-SI4800BDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4800BDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4800 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta) | |
| Другие имена | SI4800BDY-T1-GE3CT SI4800BDY-T1-GE3TR SI4800BDY-T1-GE3DKR SI4800BDYT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4800BDY-T1-E3Vishay Siliconix