NVTFS052P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
НОВА часть #:
312-2300750-NVTFS052P04M8LTAG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVTFS052P04M8LTAG
Стандартный пакет:
1,500
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NVTFS052 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 95µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 424 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.9W (Ta), 23W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NVTFS052P04M8LTAGTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVMFD5C680NLT1Gonsemi
NVTFS014P04M8LTAGonsemi