SSM3J325F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
НОВА часть #:
312-2279352-SSM3J325F,LF
Производитель:
Номер детали производителя:
SSM3J325F,LF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | S-Mini | |
| Базовый номер продукта | SSM3J325 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 270 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 600mW (Ta) | |
| Другие имена | SSM3J325FLFTR SSM3J325FLFCT SSM3J325F,LF(T SSM3J325F,LF(B SSM3J325FLF SSM3J325FLFDKR SSM3J325F,LF(A |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and Storage
AO3423Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ZXMN2B01FTADiodes Incorporated
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.
BSH205G2RNexperia USA Inc.
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and Storage
NX2301P,215NXP Semiconductors
AP7343DQ-18W5-7Diodes Incorporated
NTR4101PT1Gonsemi
