FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
НОВА часть #:
312-2280775-FDMC2610
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMC2610
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | FDMC26 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | UniFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 960 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | |
| Другие имена | FDMC2610DKR FDMC2610TR 2156-FDMC2610-OS FDMC2610CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMC86102Lonsemi
LR8N8-GMicrochip Technology
HV9861ALG-GMicrochip Technology
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
ADA4807-1AKSZ-R2Analog Devices Inc.
ASDMB-25.000MHZ-LR-TAbracon LLC
ADA4940-2ACPZ-R7Analog Devices Inc.
FDMC86260onsemi
FDMC2674Fairchild Semiconductor
