CSD13302WT
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
НОВА часть #:
312-2276649-CSD13302WT
Производитель:
Номер детали производителя:
CSD13302WT
Стандартный пакет:
250
Технический паспорт:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 4-DSBGA (1x1) | |
| Базовый номер продукта | CSD13302 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | NexFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.6A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 4-UFBGA, DSBGA | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 862 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta) | |
| Другие имена | TEXTISCSD13302WT 296-CSD13302WTCT 2156-CSD13302WT CSD13302WT-ND 296-CSD13302WTTR 296-CSD13302WTDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.