SI4459ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
НОВА часть #:
312-2281804-SI4459ADY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4459ADY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 29A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4459 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 29A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 195 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6000 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI4459ADY-T1-GE3CT SI4459ADY-T1-GE3TR SI4459ADYT1GE3 SI4459ADY-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LT1460KCS3-3#TRMPBFAnalog Devices Inc.
SQJ407EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SSA33L-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes Division
IRF9321TRPBFInfineon Technologies
SI4459BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
SIS413DN-T1-GE3Vishay Siliconix
ZXMN2F30FHTADiodes Incorporated- IRF9317TRPBFInfineon Technologies
- SI4178DY-T1-GE3Vishay Siliconix
SBR3U40P1-7Diodes Incorporated- IRF9310TRPBFInfineon Technologies
- IRF9328TRPBFInfineon Technologies
