DMP10H400SEQ-13
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
НОВА часть #:
312-2285592-DMP10H400SEQ-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMP10H400SEQ-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 2.3A (Ta), 6A (Tc) 2W (Ta), 13.7W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223-3 | |
| Базовый номер продукта | DMP10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.3A (Ta), 6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1239 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 13.7W (Tc) | |
| Другие имена | DMP10H400SEQ-13DICT DMP10H400SEQ-13DIDKR DMP10H400SEQ-13DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- TC4469EOEMicrochip Technology
- S558-5999-U7-FBel Fuse Inc.
- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
- SMMBT5401LT1Gonsemi
- 431151015826Würth Elektronik
- ZXMP10A18GTADiodes Incorporated
- DMP10H400SK3-13Diodes Incorporated
- ZXMP10A17GQTADiodes Incorporated
- DMP10H400SE-13Diodes Incorporated
- 150080GS75000Würth Elektronik
- ZXMP10A13FTADiodes Incorporated
- DMG2305UX-13Diodes Incorporated









