FDMC007N08LC
MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2288482-FDMC007N08LC
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMC007N08LC
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 66A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | |
| Базовый номер продукта | FDMC007 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 66A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 21A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 120µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2940 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 57W (Tc) | |
| Другие имена | 488-FDMC007N08LCTR FDMC007N08LC-ND 488-FDMC007N08LCCT 488-FDMC007N08LCDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTR4502PT1Gonsemi
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage- NTR1P02T1Gonsemi
FDMC007N08LCDConsemi
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon Technologies
FDC5614Ponsemi- FDC6401Nonsemi
- FDC6312Ponsemi
IRS20957STRPBFInfineon Technologies
BTS52004EKAXUMA1Infineon Technologies
TPS92612DBVRTexas Instruments
IFX9201SGAUMA1Infineon Technologies
NVR5124PLT1Gonsemi
