NTBGS001N06C
POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
НОВА часть #:
312-2273022-NTBGS001N06C
Производитель:
Номер детали производителя:
NTBGS001N06C
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 42A (Ta), 342A (Tc) 3.7W (Ta), 245W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK (TO-263) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 42A (Ta), 342A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V, 12V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 112A, 12V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 562µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 139 nC @ 30 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11110 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 245W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTBGS001N06CCT 488-NTBGS001N06CDKR 488-NTBGS001N06CTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SUM50010E-GE3Vishay Siliconix
IPB010N06NATMA1Infineon Technologies
NTMTS001N06CLTXGonsemi- IPB015N08N5ATMA1Infineon Technologies
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon Technologies
FDB0170N607LFairchild Semiconductor- NTBGS1D5N06Consemi
NVBLS001N06Consemi
