NTD4302T4G
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
НОВА часть #:
312-2290311-NTD4302T4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTD4302T4G
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | NTD4302 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.4A (Ta), 68A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2400 pF @ 24 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.04W (Ta), 75W (Tc) | |
| Другие имена | NTD4302T4GOSCT NTD4302T4GOS-ND NTD4302T4GOSTR NTD4302T4GOS =NTD4302T4GOSCT-ND NTD4302T4GOSDKR 2156-NTD4302T4G-OS ONSONSNTD4302T4G |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD40N03S4L08ATMA1Infineon Technologies- IPD090N03LGATMA1Infineon Technologies
FDD8876onsemi
BUK9214-30A,118Nexperia USA Inc.
NTD4860NT4Gonsemi