DMG3415U-7
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284507-DMG3415U-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMG3415U-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | DMG3415 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.1 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 294 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 900mW (Ta) | |
| Другие имена | DMG3415UDITR DMG3415UDIDKR DMG3415U7 DMG3415UDICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP2045U-7Diodes Incorporated
MBR120VLSFT1Gonsemi
AP2112K-3.3TRG1Diodes Incorporated
MCP73831T-2ACI/OTMicrochip Technology
LO R976-PS-1OSRAM Opto Semiconductors Inc.
NTR3A30PZT1Gonsemi- MMBT2222A-7-FDiodes Incorporated
- DMG2301L-7Diodes Incorporated
- MCP73831T-2ATI/OTMicrochip Technology
- DMP2120U-7Diodes Incorporated
