IXTH10P60

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 600V 10A TO247

НОВА часть #:

312-2289888-IXTH10P60

Производитель:

Номер детали производителя:

IXTH10P60

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

P-Channel 600 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	IXYS
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247 (IXTH)
Базовый номер продукта	IXTH10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	10A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4700 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Другие имена	IXTH10P60-NDR Q1152201