VN2222LL-G-P003
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
НОВА часть #:
312-2285602-VN2222LL-G-P003
Производитель:
Номер детали производителя:
VN2222LL-G-P003
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 230mA (Tj) 400mW (Ta), 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 | |
| Базовый номер продукта | VN2222 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 230mA (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 400mW (Ta), 1W (Tc) | |
| Другие имена | VN2222LL-G-P003TR VN2222LL-G-P003-ND VN2222LL-G-P003CT VN2222LL-G-P003DKR-ND VN2222LL-G-P003DKR VN2222LL-G-P003DKRINACTIVE |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LM317TSTMicroelectronics
1N4002-TDiodes Incorporated
2N2907A PBFREECentral Semiconductor Corp
2N7008-GMicrochip Technology
2N3906TFonsemi
1N4148onsemi- VN2222LL-GMicrochip Technology
- 2N3904TARonsemi
2211-12-301Coto Technology- 2N2222A PBFREECentral Semiconductor Corp
9001-12-01Coto Technology