IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
НОВА часть #:
312-2288095-IPD053N06NATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD053N06NATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 | |
| Базовый номер продукта | IPD053 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Ta), 45A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 36µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2000 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 83W (Tc) | |
| Другие имена | IPD053N06NTR-ND IPD053N06NTR IPD053N06NXTMA1 IPD053N06NDKR-ND IPD053N06NCT-ND IPD053N06N-ND SP000962138 IPD053N06NATMA1TR IPD053N06NATMA1DKR IPD053N06NCT IPD053N06NDKR IPD053N06N IPD053N06NATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDD86540onsemi
