BSC080N03LSGATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-5
Базовый номер продукта	BSC080
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	14A (Ta), 53A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1700 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 35W (Tc)
Другие имена	BSC080N03LSGATMA1TR BSC080N03LSGINTR-ND BSC080N03LSG BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC080N03LSGINCT BSC080N03LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC080N03LSGATMA1DKR BSC080N03LSGINDKR-ND BSC080N03LSGXT SP000275114 BSC080N03LSGATMA1CT INFINFBSC080N03LSGATMA1 BSC080N03LSGINDKR BSC080N03LSGINCT-ND BSC080N03LSGINTR BSC080N03LS G 2156-BSC080N03LSGATMA1