CXDM1002N TR PBFREE
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
НОВА часть #:
312-2290672-CXDM1002N TR PBFREE
Производитель:
Номер детали производителя:
CXDM1002N TR PBFREE
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Central Semiconductor Corp | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-89 | |
| Базовый номер продукта | CXDM1002 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-243AA | |
| VGS (макс.) | 20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 550 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.2W (Ta) | |
| Другие имена | CXDM1002N DKR CXDM1002N TR LEAD FREE 1514-CXDM1002NTRPBFREETR CXDM1002N CT CXDM1002N TR 1514-CXDM1002NTRPBFREEDKR CXDM1002N DKR-ND 1514-CXDM1002NTRPBFREECT CXDM1002NTR-ND CXDM1002NCT CXDM1002NCT-ND CXDM1002N CT-ND CXDM1002NDKR CXDM1002NTR CXDM1002N TR-ND CXDM1002NDKR-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CPC1002NTRIXYS Integrated Circuits Division
SMMBT4401LT1Gonsemi
CXDM4060N TR PBFREECentral Semiconductor Corp
ZXMN10A25GTADiodes Incorporated
