CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
НОВА часть #:
312-2361593-CSD17575Q3
Производитель:
Номер детали производителя:
CSD17575Q3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | CSD17575 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | NexFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4420 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 108W (Tc) | |
| Другие имена | CSD17575Q3-ND 296-39994-6 -296-39994-1-ND TEXTISCSD17575Q3 296-39994-2 2156-CSD17575Q3 296-39994-1 |
In stock Нужно больше?
0,77480 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
B0540W-7-FDiodes Incorporated
ABS07-32.768KHZ-TAbracon LLC
FDMC2523Ponsemi
BQ25792RQMRTexas Instruments
MBRA120ET3Gonsemi
CSD16327Q3Texas Instruments
CSD17575Q3TTexas Instruments
CSD17578Q3ATexas Instruments