SI3473DDV-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	SI3473
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen III
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	57 nC @ 8 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	12 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1975 pF @ 6 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.6W (Tc)
Другие имена	SI3473DDV-T1-GE3CT SI3473DDV-T1-GE3TR SI3473DDV-T1-GE3DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!