TK12A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
НОВА часть #:
312-2306610-TK12A50D(STA4,Q,M)
Производитель:
Номер детали производителя:
TK12A50D(STA4,Q,M)
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 500 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220SIS | |
| Базовый номер продукта | TK12A50 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | π-MOSVII | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1350 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 45W (Tc) | |
| Другие имена | TK12A50D(STA4QM) TK12A50DSTA4QM |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- TPS2812DRTexas Instruments
- IRFP450APBFVishay Siliconix
- STPS30L45CWSTMicroelectronics
- BZT52H-C3V9,115NXP USA Inc.
- IRF4905PBFInfineon Technologies
- BZT52H-C24,115Nexperia USA Inc.







