DMT8008LFG-7
MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
НОВА часть #:
312-2291608-DMT8008LFG-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT8008LFG-7
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 48A (Tc) 1W (Ta), 23.5W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI3333-8 | |
| Базовый номер продукта | DMT8008 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 16A (Ta), 48A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2254 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta), 23.5W (Tc) | |
| Другие имена | 31-DMT8008LFG-7CT 31-DMT8008LFG-7TR 31-DMT8008LFG-7DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SML-LX0402SIC-TRLumex Opto/Components Inc.
FDMS86350ET80onsemi- SML-LX0402SUGC-TRLumex Opto/Components Inc.
PMEG3020EJ,115Nexperia USA Inc.
ASEAIG-16.000MHZ-C-S-TAbracon LLC
63PEV10M6.3X6.1Rubycon
STPS2H100ZFSTMicroelectronics
SQJ465EP-T1_GE3Vishay Siliconix- IPTG011N08NM5ATMA1Infineon Technologies
RB068MM100TFTRRohm Semiconductor
BSS123W-7-FDiodes Incorporated
