IXTP18P10T

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB

НОВА часть #:

312-2276159-IXTP18P10T

Производитель:

Номер детали производителя:

IXTP18P10T

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

P-Channel 100 V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	IXYS
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220-3
Базовый номер продукта	IXTP18
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchP™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	18A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±15V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2100 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	83W (Tc)