IRFD9110
0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
НОВА часть #:
312-2265445-IRFD9110
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFD9110
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Harris Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| Базовый номер продукта | IRFD9110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 700mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 420mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 200 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta) | |
| Другие имена | 2156-IRFD9110 HARHARIRFD9110 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFD9110PBFVishay Siliconix