SCTW35N65G2V
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
НОВА часть #:
312-2289929-SCTW35N65G2V
Производитель:
Номер детали производителя:
SCTW35N65G2V
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Through Hole HiP247™
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | HiP247™ | |
| Базовый номер продукта | SCTW35 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 45A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 18V, 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +22V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1370 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 240W (Tc) | |
| Другие имена | 497-SCTW35N65G2V |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronics
TN3050H-12WYSTMicroelectronics- SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronics
C3M0045065DWolfspeed, Inc.
SCT3060ALGC11Rohm Semiconductor